铠侠和 SK 海力士或将合作生产 HBM 内存，助力日本半导体产业复兴

本站 3 月 5 日消息，据日媒《时事通信社》消息，铠侠、SK 海力士双方正就在日生产 HBM 内存进行接洽。

本站注意到，上月也曾有类似消息传出，不过当时提到的合作内容是非易失性存储器，也就是 NAND 闪存。

目前，HBM内存作为AI半导体领域的热点之一，供不应求的局面日益凸显。以SK海力士为例，他们计划从2023年第二季度的每月35,000片提升至年底的12-14万片，但即使如此，今年的HBM配额早已售罄。扩大在日本的产能将有助于SK海力士满足市场需求，从而缓解当前的供需紧张状态。

据报道，双方计划利用铠侠在日本北上市和四日市的现有工厂，快速实现 HBM 内存在日生产。

目前铠侠同合作伙伴西数在日本的存储半导体业务仅限 NAND 闪存品类。

不过在上个世纪，日本制造商曾一度在 DRAM 内存市场中占主导地位，但由于价格竞争力不足逐渐让位给韩美两国厂商。随着尔必达于 2012 年被美光收购，日本厂商完全退出内存市场。

《时事通信社》认为，若铠侠与 SK 海力士的 HBM 内存合作成真，日本将重新开始生产先进 DRAM 内存，成为日本半导体产业复兴的重要一步。

SK 海力士通过铠侠最大股东贝恩资本间接持有部分铠侠股份。而 SK 海力士的反对声音，被认为是去年铠侠同西部数据合并谈判破裂的决定性因素。

消息人士表示，虽然征得 SK 海力士同意是推动下一轮铠侠同西部数据合并谈判的关键，但在 HBM 内存上的合作是独立的谈判内容。

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